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原厂专区
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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  • 供应商:自营(DL0001)

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    100+

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    1000+

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    ¥4.326200

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    说明:N沟道,60V,3A,105毫欧。

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    ¥0.379480

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    ¥3.540500

    ¥3.220400

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,60V,5A,35mΩ@10V

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    500+

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    ¥1.045272

    ¥0.849817

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    ¥0.614980

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P+N双MOS管,40V/8A加-40V/-7A,类似AO4614.

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    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥1.460141

    ¥1.194264

    ¥1.080386

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    ¥0.874940

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:NMOS,100V/130A,RDS(ON)=1.7mR (typ) @ VGS=10V;标称72V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。

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    30+

    100+

    500+

    800+

    ¥8.487500

    ¥7.362300

    ¥6.751200

    ¥6.062500

    ¥5.752100

    ¥5.606600

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,100V,3A,160毫欧。近似型号: CJA03N10。

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    30+

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    500+

    1000+

    ¥0.906368

    ¥0.731186

    ¥0.656108

    ¥0.562503

    ¥0.520793

    ¥0.495767

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  • 供应商:自营(DL0001)

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    30+

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    500+

    1000+

    ¥5.432000

    ¥4.539600

    ¥4.093400

    ¥3.647200

    ¥3.385300

    ¥3.249500

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:NMOS,40V/200A,RDS=2mR;标称24V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。

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    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥6.935500

    ¥5.965500

    ¥5.267100

    ¥4.685100

    ¥4.588100

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    说明:N 沟道,20V,60A,<6mΩ@Vgs=4.5V

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    30+

    ¥0.550184

    ¥0.535537

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  • 供应商:自营(DL0001)

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    10+

    30+

    100+

    500+

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    ¥3.967300

    ¥3.385300

    ¥3.094300

    ¥2.880900

    ¥2.677200

    ¥2.570500

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    ¥0.324875

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  • 供应商:自营(DL0001)

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    500+

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    ¥7.459300

    ¥6.489300

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    ¥5.344700

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    ¥4.956700

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道,30V,15A,12毫欧。

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    30+

    ¥1.303680

    ¥1.280497

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    说明:NMOS,100V/14A,8.8mΩ;

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥3.753900

    ¥3.152500

    ¥2.851800

    ¥2.551100

    ¥2.366800

    ¥2.279500

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    50+

    150+

    500+

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    ¥1.084848

    ¥0.881924

    ¥0.794915

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    ¥0.638066

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