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原厂专区
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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    说明:NMOS,75V/210A,RDS(ON)=3mR;标称48V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。

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    说明:N沟道

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    说明:N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V

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    1000+

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    ¥2.221300

    ¥2.124300

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道

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    ¥0.273459

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,60V,9A,15mΩ@10V

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    30+

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    1000+

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    ¥1.537353

    ¥1.381959

    ¥1.188056

    ¥1.101726

    ¥1.049928

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,30V,150A

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    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥3.957600

    ¥3.336800

    ¥3.026400

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    ¥2.531700

    ¥2.434700

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    50+

    150+

    500+

    3000+

    6000+

    ¥0.634199

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    ¥0.425755

    ¥0.411380

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    ¥0.816255

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    ¥15.073800

    ¥13.133800

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    ¥9.874600

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    说明:P沟道,-30V,-6.5A,42毫欧,比NCE4435电流稍低。

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    ¥0.465029

    ¥0.453961

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,40V,9A,16毫欧,类似NCE3010S,比NCE3010S耐压稍高。

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    ¥1.018694

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    ¥0.761935

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    ¥0.623031

    ¥0.597326

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    30+

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    500+

    1000+

    ¥2.056400

    ¥1.649000

    ¥1.474400

    ¥1.261000

    ¥1.164000

    ¥1.105800

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:NMOS,100V/130A,RDS(ON)=1.7mR (typ) @ VGS=10V;标称72V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。

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    10+

    30+

    100+

    ¥3.970000

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    ¥3.530000

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