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原厂专区
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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    说明:N沟道,85V,210A,3.8mΩ@10V

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    ¥5.538700

    ¥4.869400

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    说明:N沟 30V 290A

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    30+

    100+

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    ¥8.186800

    ¥7.207100

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    ¥5.800600

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    100+

    500+

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    ¥3.734500

    ¥3.424100

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    ¥2.977900

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    ¥0.733708

    ¥0.662122

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    ¥0.533015

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    30+

    100+

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    ¥2.056400

    ¥1.649000

    ¥1.474400

    ¥1.261000

    ¥1.164000

    ¥1.105800

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    说明:P沟道,-12V,-6A,30mΩ@-4.5V

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    150+

    500+

    3000+

    6000+

    ¥0.493563

    ¥0.405329

    ¥0.361212

    ¥0.328124

    ¥0.301654

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道,-30V,-6.5A,42毫欧,比NCE4435电流稍低。

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    150+

    ¥0.465029

    ¥0.453961

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    说明:

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

    800+

    ¥9.098600

    ¥7.769700

    ¥7.042200

    ¥6.217700

    ¥5.849100

    ¥5.684200

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:PMOS 近似型号:AO3401、CJ3401

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    5+

    50+

    150+

    500+

    3000+

    6000+

    ¥0.487585

    ¥0.398239

    ¥0.353566

    ¥0.320061

    ¥0.293257

    ¥0.279855

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