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原厂专区
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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    说明:N沟道,85V,250A,2.6mΩ

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    说明:N沟道,60V,200A,1.8mΩ

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    ¥4.219500

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V;功能同SI2300/SI2302,内阻更低,电流更大。

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    100+

    300+

    3000+

    6000+

    9000+

    ¥0.350263

    ¥0.286294

    ¥0.254309

    ¥0.230320

    ¥0.211128

    ¥0.201533

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    ¥2.163100

    ¥1.949700

    ¥1.687800

    ¥1.561700

    ¥1.493800

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:NMOS,100V/60A,8.5mΩ;

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    29+

    ¥2.289200

    ¥1.755700

    ¥1.755700

    ¥1.755700

    ¥1.755700

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    说明:N沟道,60V,80A,4mΩ@10V

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    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥4.559000

    ¥3.783000

    ¥3.404700

    ¥3.026400

    ¥2.793600

    ¥2.677200

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    说明:N沟道,100V,78A,7.2mΩ@10V

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    30+

    ¥2.395900

    ¥2.337700

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    说明:P沟道,-30V,-30A,R DS(ON) < 10mΩ @ V GS =-10V,R DS(ON) < 15mΩ@ V GS =-4.5V

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    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥1.891985

    ¥1.549478

    ¥1.402717

    ¥1.219678

    ¥1.138101

    ¥1.089213

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    ¥7.740600

    ¥6.770600

    ¥6.227400

    ¥5.626000

    ¥5.354400

    ¥5.238000

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    ¥0.858353

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    ¥0.589081

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    ¥7.779400

    ¥7.391400

    ¥7.207100

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    ¥1.193876

    ¥1.164097

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    说明:N沟道,650V,15A,260mΩ@10V

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥5.344700

    ¥4.462000

    ¥3.977000

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