供应商：自营(DL0001)

说明：晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：350@10mA,5V 输入电阻：4.7kΩ

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说明：This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

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说明：

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说明：DTA124EUA-F2-0000HF

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