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    说明:30ppm/C 漂移、3.9uA、SOT23-3电压基准

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    说明:精密微功耗并联电压基准

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    100+

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    ¥15.675200

    ¥14.171700

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    ¥13.027100

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    说明:ICVREFSHUNTADJSOT23-3

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    30+

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    ¥177.306300

    ¥169.478400

    ¥164.706000

    ¥160.699900

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:5V

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥22.416700

    ¥19.749200

    ¥18.168100

    ¥16.567600

    ¥15.820700

    ¥15.490900

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:2.5ppm/℃ 漂移、10V 精密电压基准

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:5V ±0.1%

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

    1000+

    ¥9.690300

    ¥8.419600

    ¥7.614500

    ¥6.799700

    ¥6.421400

    ¥6.266200

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:

    货期:当天发货

    库存:0

    1+

    10+

    30+

    250+

    500+

    1000+

    ¥13.735200

    ¥11.834000

    ¥10.650600

    ¥9.428400

    ¥8.875500

    ¥8.642700

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:高精度低温漂1.25V电压基准,精度:0.5%;温漂:20PPM/℃;输出:1.25V-18V

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    150+

    500+

    3000+

    6000+

    9000+

    21000+

    ¥0.372074

    ¥0.302066

    ¥0.266062

    ¥0.236406

    ¥0.226058

    ¥0.219057

    ¥0.217057

    ¥0.215257

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    说明:芯片 电压基准 XFET LDO 拓扑结构: 串联 输入电压 最小: 3V 输入电压最大值: 18V 基准源电压: 2.048V 容差, 基准电压: 1mV 电压基准封装形式: SOIC 针脚数: 8 温度系数: 3ppm/°C MSL: MSL 1 -无限制 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) 器件标号: 440 容差: 1.0% 容差, 基准电压 & 老化: 0.05% 工作温度最小值: -40°C 工作温度最高值: 125°C 工作温度范围: -40°C 至 +125°C 温度系数, +: 3ppm/°C 电压基准类型: 固定 输入电压: 3V 至 18V

    货期:当天发货

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    1+

    10+

    30+

    100+

    ¥39.556600

    ¥33.552300

    ¥32.368900

    ¥31.156400

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  • 供应商:自营(DL0001)

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    货期:当天发货

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    1+

    200+

    500+

    1000+

    ¥18.459100

    ¥7.148900

    ¥6.896700

    ¥6.770600

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