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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AOSP21321
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AOSP21321

制造商：AOS

商品参数：SOIC-8

所属分类：MOS(场效应管)

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型号AOSP21321
制造商AOS
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
Vgs（最大值）±25V
技术MOSFET（金属氧化物）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.3V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）34nC @ 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Ta）
漏源电压（Vdss）30V
FET 类型P 通道
安装类型表面贴装型
FET 功能-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1180pF @ 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）17 毫欧 @ 11A，10V

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