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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AOD1N60
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AOD1N60

制造商：AOS

商品参数：TO252

所属分类：MOS(场效应管)

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型号AOD1N60
制造商AOS
FET 功能-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）160pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9 欧姆 @ 650mA，10V
功率耗散（最大值）45W（Tc）
Vgs（最大值）±30V
技术MOSFET（金属氧化物）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 250µA
工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）8nC @ 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.3A（Tc）
漏源电压（Vdss）600V
FET 类型N 通道
安装类型表面贴装型

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