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RSR020N06TL

制造商：VBsemi(台湾微碧)

商品参数：RSR020N06TL

所属分类：MOS(场效应管)

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型号RSR020N06TL
制造商VBsemi(台湾微碧)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.9nC @ 10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A（Ta）
漏源电压（Vdss）60V
FET 类型N 通道
安装类型表面贴装型
FET 功能-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）180pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）170 毫欧 @ 2A，10V
功率耗散（最大值）540mW（Ta）
Vgs（最大值）±20V
技术MOSFET（金属氧化物）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 1mA
工作温度150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V

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