


供应商编号 | 供应商型号 | 货期 | 说明 | 库存 | 梯度价格(含税13%) | |
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自营(DL0001) | SI2324DS-T1-GE3 | 当天发货 | 0 |
1+ 10+ 30+ 100+ 500+ 1000+ ¥1.224043 ¥0.993862 ¥0.895213 ¥0.796564 ¥0.730798 ¥0.691319 |
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型号 | SI2324DS-T1-GE3 |
制造商 | VBsemi(台湾微碧) |
功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
Vgs(最大值) | ±20V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.9V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.4nC @ 10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A(Tc) |
漏源电压(Vdss) | 100V |
FET 类型 | N 通道 |
安装类型 | 表面贴装型 |
FET 功能 | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 190pF @ 50V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 234 毫欧 @ 1.5A,10V |
客户账号 | 下单数量 | 下单金额 | 下单时间 |
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