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AO6800

制造商:VBsemi(台湾微碧)

商品参数:AO6800

所属分类:MOS(场效应管)

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型号AO6800
制造商VBsemi(台湾微碧)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 3.4A,10V
漏源电压(Vdss)30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.4A
FET 功能逻辑电平门
FET 类型2 N-通道(双)
功率 - 最大值1.15W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)235pF @ 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型

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