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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO3419
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AO3419

制造商：VBsemi(台湾微碧)

商品参数：AO3419

所属分类：MOS(场效应管)

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型号AO3419
制造商VBsemi(台湾微碧)
功率耗散（最大值）1.4W（Ta）
Vgs（最大值）±12V
技术MOSFET（金属氧化物）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.4nC @ 4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）20V
FET 类型P 通道
安装类型表面贴装型
FET 功能-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）400pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）85 毫欧 @ 3.5A，10V

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