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SI2371EDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2371EDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI2371EDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
类型P沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.8A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻45mΩ @ 3.7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W

SI2371EDS-T1-GE3月价格走势

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