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SIR470DP-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SIR470DP-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SIR470DP-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装PowerPAK SO-8
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2.3mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）6.25W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）40V

SIR470DP-T1-GE3月价格走势

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