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SI4477DY-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI4477DY-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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SingleP-Channel20V0.0062O190nCSurfaceMountMosfet-SOIC-8

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型号SI4477DY-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOIC-8_150mil
连续漏极电流（Id）（25°C 时）26.6A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻6.2mΩ @ 18A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）3W
类型P沟道
漏源电压（Vdss）20V

SI4477DY-T1-GE3月价格走势

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