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ZXMN10A25GTA

制造商：DIODES(美台)

商品参数：ZXMN10A25GTA

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,100V,4A

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ZJ0763
 ZXMN10A25GTA 当天发货 0

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型号ZXMN10A25GTA
制造商DIODES(美台)
封装SOT-223
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻125mΩ @ 2.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.9A

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