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SI2312CDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2312CDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI2312CDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
漏源导通电阻31.8mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.1W(Tc)
类型N沟道
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 250uA

SI2312CDS-T1-GE3月价格走势

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