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SI3456DDV-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI3456DDV-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI3456DDV-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装TSOP-6
最大功率耗散（Ta=25°C）2.7W(Tc)
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.3A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻40mΩ @ 5A,10V

SI3456DDV-T1-GE3月价格走势

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