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DMN1019UFDE-7

制造商：DIODES(美台)

商品参数：DMN1019UFDE-7

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,12V,11A,10mΩ@4.5V

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型号DMN1019UFDE-7
制造商DIODES(美台)
封装U-DFN2020-6
类型N沟道
漏源电压（Vdss）12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11A
栅源极阈值电压800mV @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 9.7A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）690mW

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