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SI2347DS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2347DS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-30V,-5A,0.042Ω@-10V

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型号SI2347DS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
漏源导通电阻42mΩ @ 3.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.7W(Tc)
类型P沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

SI2347DS-T1-GE3月价格走势

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