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IRF640PBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

所属分类：晶体管

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型号IRF640PBF
制造商VISHAY(威世)
封装TO-220AB
漏源极击穿电压VDSS200V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）200V
连续漏极电流ID18A
系列低压MOS管
连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)
漏源极导通电阻RDS(ON)180mΩ
MPQ50pcs
栅源极阈值电压4V @ 250uA
封装形式PackageTO-220-3
漏源导通电阻180mΩ @ 11A,10V
极性PolarityN-CH
最大功率耗散（Ta=25°C）125W(Tc)

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