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STF10NM60N

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STF10NM60N

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,600V,10A,550mΩ@10V

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型号STF10NM60N
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220F(TO-220IS)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）19nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）25W
漏源极电压（Vdss）600V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）540pF @ 50V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Tc）
功率 - 最大值25W
连续漏极电流（Id）（25°C 时）10A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）550 毫欧 @ 4A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
栅源极阈值电压4V @ 250uA
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
漏源导通电阻550mΩ @ 4A,10V

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