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STP60NF06L

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP60NF06L 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,60A,14mΩ@10V

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型号STP60NF06L
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）
功率 - 最大值110W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）14 毫欧 @ 30A，10V
工作温度-65°C ~ 175°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
安装类型通孔
栅源极阈值电压1V @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）66nC @ 4.5V
漏源导通电阻14mΩ @ 30A,10V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2000pF @ 25V
最大功率耗散（Ta=25°C）110W

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