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CSD16403Q5A

制造商：TI(德州仪器)

商品参数：CSD16403Q5A

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,25V,20A,2.8mΩ@10V

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型号CSD16403Q5A
制造商TI(德州仪器)
封装SON-8_5x6mm
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）18nC @ 4.5V
漏源极电压（Vdss）25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2660pF @ 12.5V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）28A（Ta），100A（Tc）
功率 - 最大值3.1W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）2.8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.9V @ 250μA
安装类型表面贴装

CSD16403Q5A月价格走势

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