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STW26NM60N

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STW26NM60N 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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型号STW26NM60N
制造商ST(意法半导体)
封装TO-247(AC)
漏源极击穿电压VDSS600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A
连续漏极电流ID20A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
MPQ无
漏源导通电阻165mΩ @ 10A,10V
封装形式PackageTO-247
最大功率耗散（Ta=25°C）140W
极性PolarityN-CH
类型N沟道
漏源电压（Vdss）600V

STW26NM60N月价格走势

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