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STW20NK50Z

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STW20NK50Z 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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商品说明

N沟道,500V,20A,270mΩ@10V

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GYS2557
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型号STW20NK50Z
制造商ST(意法半导体)
封装TO-247(AC)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）270 毫欧 @ 8.5A，10V
工作温度150°C（TJ）
漏源导通电阻270mΩ @ 8.5A,10V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 100μA
安装类型通孔
最大功率耗散（Ta=25°C）190W
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）119nC @ 10V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）500V
漏源极电压（Vdss）500V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2600pF @ 25V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）17A
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）
功率 - 最大值190W
栅源极阈值电压4.5V @ 100uA

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