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IRFB20N50KPBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数： IRFB20N50KPBF

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,500V,20A,210mΩ@10V

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型号IRFB20N50KPBF
制造商VISHAY(威世)
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA
安装类型通孔
栅源极阈值电压5V @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）110nC @ 10V
封装TO-220-3
漏源导通电阻250mΩ @ 12A,10V
漏源极电压（Vdss）500V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2870pF @ 25V
封装TO-220AB
最大功率耗散（Ta=25°C）280W
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Tc）
功率 - 最大值280W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）500V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）250 毫欧 @ 12A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A

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