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DN2540N3-G

制造商：MICROCHIP(美国微芯)

商品参数：DN2540N3-G 袋装

所属分类：MOS(场效应管)

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耗尽型MOS管，N沟道,400V,120mA,25Ω@0V

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型号DN2540N3-G
制造商MICROCHIP(美国微芯)
封装TO-92(TO-92-3)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）25 欧姆 @ 120mA，0V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）300pF @ 25V
FET 功能耗尽模式
功率 - 最大值1W
漏源极电压（Vdss）400V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120mA（Tj）
安装类型通孔

DN2540N3-G月价格走势

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