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ZXMN6A09GTA

制造商：DIODES(美台)

商品参数：ZXMN6A09GTA

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,7.5A,40mΩ@10V

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型号ZXMN6A09GTA
制造商DIODES(美台)
封装SOT-223
最大功率耗散（Ta=25°C）2W
类型N沟道
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.4A
漏源电压（Vdss）60V
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻40mΩ @ 8.2A,10V

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