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STP16NF06

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP16NF06 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,16A,80mΩ@10V

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型号STP16NF06
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）16A（Tc）
功率 - 最大值45W
最大功率耗散（Ta=25°C）45W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）100 毫欧 @ 8A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
连续漏极电流（Id）（25°C 时）16A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）13nC @ 10V
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）315pF @ 25V
漏源导通电阻100mΩ @ 8A,10V

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