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STD45N10F7

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STD45N10F7

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,100V,45A,18Ω@10V

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型号STD45N10F7
制造商ST(意法半导体)
封装TO-252-3
类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）45A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 22.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）60W

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