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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > STD3NK90ZT4
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STD3NK90ZT4

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STD3NK90ZT4

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,900V,3A,4.8Ω@10V

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型号STD3NK90ZT4
制造商ST(意法半导体)
封装TO-252-2(DPAK)
MPQ无
漏源极电压（Vdss）900V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）590pF @ 25V
类型N沟道
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A
封装形式PackageDPAK
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3A（Tc）
功率 - 最大值90W
漏源电压（Vdss）900V
极性PolarityN-CH
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
栅源极阈值电压4.5V @ 50uA
漏源极击穿电压VDSS900V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA
安装类型表面贴装
漏源导通电阻4.8Ω @ 1.5A,10V
连续漏极电流ID3A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）22.7nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）90W

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