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SIR422DP-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SIR422DP-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,40V,10A,6.6mΩ@10V

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型号SIR422DP-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOIC-8_150mil
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）48nC @ 10V
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源极电压（Vdss）40V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1785pF @ 20V
漏源导通电阻6.6mΩ @ 20A,10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Tc）
功率 - 最大值34.7W
最大功率耗散（Ta=25°C）5W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）6.6 毫欧 @ 20A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
类型N沟道
漏源电压（Vdss）40V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
连续漏极电流（Id）（25°C 时）40A

SIR422DP-T1-GE3月价格走势

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