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STP9NK50Z

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP9NK50Z 盒装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,500V,7.2A,850mΩ@10V

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型号STP9NK50Z
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
漏源极电压（Vdss）500V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）910pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.2A（Tc）
功率 - 最大值110W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）850 毫欧 @ 3.6A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 100μA
安装类型通孔
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）32nC @ 10V

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