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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > FDS4935BZ
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FDS4935BZ

制造商：FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数：FDS4935BZ 托盘

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-30V,-6.9A,22mΩ@-10V

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型号FDS4935BZ
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装SOIC-8_150mil
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.9A
功率 - 最大值900mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）22 毫欧 @ 6.9A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型2 个 P 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）40nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1360pF @ 15V

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