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VNN1NV04PTR-E

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：VNN1NV04PTR-E

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,40V,1.7A,250mΩ@10V

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型号VNN1NV04PTR-E
制造商ST(意法半导体)
封装SOT-223
开关类型通用
接口开/关
输入类型非反相
特性-
输出数1
电压 - 负载36V（最大）
故障保护限流（固定），超温，过压
安装类型表面贴装型
比率 - 输入:输出1
电压 - 电源（Vcc/Vdd）不需要
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)不需要
输出配置低端
电流 - 输出（最大值）1.7A
输出类型N 通道
导通电阻（典型值）250 毫欧（最大）

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