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SI4410BDY-T1-E3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI4410BDY-T1-E3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,30V,10A,14mΩ@10V

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型号SI4410BDY-T1-E3
制造商VISHAY(威世)
封装SO-8_3.9mm
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻13.5mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.4W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.5A

SI4410BDY-T1-E3月价格走势

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