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IRFD9110PBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：IRFD9110PBF 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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型号IRFD9110PBF
制造商VISHAY(威世)
封装HVMDIP-4
漏源极电压（Vdss）100V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）200pF @ 25V
漏源极导通电阻RDS(ON)1.2Ω
MPQ2,500pcs
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）700mA（Ta）
功率 - 最大值1.3W
封装形式PackageHVMDIP-4
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）1.2 欧姆 @ 420mA，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
极性PolarityP-CH
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
漏源极击穿电压VDSS100V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）8.7nC @ 10V
连续漏极电流ID700mA
系列低压MOS管

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