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STD10PF06T4

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STD10PF06T4

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,60V,10A,200mΩ@10V

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型号STD10PF06T4
制造商ST(意法半导体)
封装TO-252-2(DPAK)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）21nC @ 10V
FET类型P沟道
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）850pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A（Tc）
功率 - 最大值40W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）200 毫欧 @ 5A，10V
工作温度175°C（TJ）
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

STD10PF06T4月价格走势

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