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SI4435DYTRPBF

制造商：IR

商品参数：SI4435DYTRPBF

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI4435DYTRPBF
制造商IR
封装SOIC-8_150mil
类型P沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）8A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

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