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IRF7316TRPBF

制造商:IR

商品参数:IRF7316TRPBF

所属分类:MOS(场效应管)

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P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
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型号IRF7316TRPBF
制造商IR
封装SOP-8_150mil
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)34nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)58 毫欧 @ 4.9A,10V
漏源电压(Vdss)30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.9A
FET 功能逻辑电平门
FET 类型2 个 P 沟道(双)
功率 - 最大值2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)710pF @ 25V

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