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IRF7105TRPBF

制造商：IR

商品参数：IRF7105TRPBF

所属分类：MOS(场效应管)

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N+P双沟道,25V/3.5A(-25V/-2.3A)

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型号IRF7105TRPBF
制造商IR
封装SO-8_3.9mm
MPQ无
类型N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）25V
封装形式PackageSOIC
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.5A,2.3A
极性PolarityN+P
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源极击穿电压VDSS25V
漏源导通电阻100mΩ @ 1A,10V
连续漏极电流ID3.5A/2.3A
最大功率耗散（Ta=25°C）2W

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