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STP4NK60Z

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP4NK60Z 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,600V,4A,2Ω@10V

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型号STP4NK60Z
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）26nC @ 10V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A
漏源极电压（Vdss）600V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）510pF @ 25V
栅源极阈值电压4.5V @ 50uA
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Tc）
功率 - 最大值70W
漏源导通电阻2Ω @ 2A,10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）2 欧姆 @ 2A，10V
工作温度150°C（TJ）
最大功率耗散（Ta=25°C）70W
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA
安装类型通孔
类型N沟道
漏源电压（Vdss）600V

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