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SIS402DN-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SIS402DN-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SIS402DN-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装PowerPAK1212-8
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）42nC @ 10V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1700pF @ 15V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）35A
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）35A（Tc）
功率 - 最大值52W
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）6 毫欧 @ 19A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻6mΩ @ 19A,10V
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）3.8W

SIS402DN-T1-GE3月价格走势

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