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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AON6508
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AON6508

制造商：AOS

商品参数：AON6508

所属分类：MOS(场效应管)

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型号AON6508
制造商AOS
封装DFN-8_5x6mm
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）49nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）4.2W
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2010pF @ 15V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）29A（Ta），32A（Tc）
功率 - 最大值4.2W
连续漏极电流（Id）（25°C 时）32A(Tc)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）3.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源导通电阻3.2mΩ @ 20A,10V

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