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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO4441
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AO4441

制造商：AOS

商品参数：AO4441

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V

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型号AO4441
制造商AOS
封装SOIC-8_150mil
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1120pF @ 30V
最大功率耗散（Ta=25°C）3.1W
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Ta）
功率 - 最大值3.1W
类型P沟道
漏源电压（Vdss）60V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）100 毫欧 @ 4A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压3V @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）20nC @ 10V
漏源导通电阻100mΩ @ 4A,10V

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