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SI9435BDY-T1-E3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI9435BDY-T1-E3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI9435BDY-T1-E3
制造商VISHAY(威世)
封装SOIC-8_150mil
极性PolarityP-CH
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）24nC @ 10V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.1A
漏源极击穿电压VDSS30V
漏源极电压（Vdss）30V
功率 - 最大值1.3W
栅源极阈值电压3V @ 250uA
连续漏极电流ID5.7A
系列低压MOS管
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻42mΩ @ 5.7A,10V
漏源极导通电阻RDS(ON)42mΩ
MPQ2,500pcs
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）42 毫欧 @ 5.7A，10V
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）1.3W
封装形式PackageSOIC-8
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
类型P沟道
漏源电压（Vdss）30V

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