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STN1NK80Z

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STN1NK80Z

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,800V,250mA,16Ω@10V

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型号STN1NK80Z
制造商ST(意法半导体)
封装SOT-223
类型N沟道
漏源电压（Vdss）800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）250mA
栅源极阈值电压4.5V @ 50uA
漏源导通电阻16Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

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