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FDC637BNZ

制造商：FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数：FDC637BNZ

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,20V,6.2A,24mΩ@4.5V

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型号FDC637BNZ
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装SuperSOT-6(SSOT-6)
漏源极电压（Vdss）20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）895pF @ 10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.2A（Ta）
功率 - 最大值800mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能逻辑电平栅极，2.5V 驱动
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）12nC @ 4.5V

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