您好, 欢迎来到大联芯城 会员注册| 会员登录
合作商中心 客服中心：0755-82551557
STM32F302C8T6STM32L431RCT6STM32L151C8T6AVL53L0CXV0DH/1VL6180V1NR/1 STM8S005C6T6TR
我的购物车0
位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > Si2308BDS-T1-GE3
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
浏览量:1018
分享：
Si2308BDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：Si2308BDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

近期最大存货

0个

近期最低价格

¥0.8019/PCS

包装数量：3000

近期最高价格：¥1.3556/PCS

低于最高价格：40.84%

查看所有价格

一键配价 联系客服 资料下载 收藏
服务承诺：正品行货现货现发异议退换

商品说明

N沟道,60V,2.3A,156mΩ@10V

  • RoHS标识

  • 无铅标识

  • 商品价格
  • 规格说明
  • 价格趋势
  • 商品评论
自营样品原厂正品现货库存4小时发货
供应商编号 供应商型号 货期 说明 库存 梯度价格(含税13%)
自营(DL0001)
 Si2308BDS-T1-GE3 当天发货 N沟道,60V,2.3A,156mΩ@10V 0

1+

10+

30+

100+

500+

1000+

￥1.355575

￥1.119380

￥1.018209

￥0.891915

￥0.835655

￥0.801899
一键配价
批量售价原厂正品现货库存4小时发货
暂无供应商提供配价
更多商品数据加载中...
型号Si2308BDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）156 毫欧 @ 1.9A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.3A
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压3V @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）6.8nC @ 10V
漏源导通电阻156mΩ @ 1.9A,10V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）190pF @ 30V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.3A（Tc）
功率 - 最大值1.66W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V

Si2308BDS-T1-GE3月价格走势

  • 数据加载中...
客户账号下单数量下单金额下单时间
注:只显示最近20条记录
注:只显示最近20条记录
  • 相关商品
关闭

意见反馈

感谢您使用大联芯城，请留下您宝贵的意见，我们一定认真对待！

商品对比

[隐藏]

  • 原厂原装正品品牌合作，严格监管

  • 海量现货库存在线下单，在线支付

  • 人性化采购服务快速报价，采购无忧

  • 一站式明码标价明码标价，价格透明

关于大联法律声明私隐声明联系我们  

版权所有 © 大联芯城（深圳）电子技术有限公司 dlchip.net Limited. All rights reserved |粤ICP备16125554号-1