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SI2328DS-T1-E3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2328DS-T1-E3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,100V,1.5A,250mΩ@10V

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型号SI2328DS-T1-E3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）250 毫欧 @ 1.5A，10V
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）730mW
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）5nC @ 10V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.15A
漏源极电压（Vdss）100V
功率 - 最大值730mW
栅源极阈值电压4V @ 250uA
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.15A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻250mΩ @ 1.5A,10V

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